マスク氏、チップ生産について語る：中国の大規模製造能力は世界の他の地域の合計をしばしば上回る

マスク氏による中国の製造業におけるスケールメリットに関する最新の発言は、半導体業界で既に生じていた競争の不安感に新たな火種を投じました。

昨夜、中国のメモリーチップメーカーである長鑫存储による最新の技術ブレイクスルーのニュースが米株半導体セクターにショックを与えました。フィラデルフィア半導体指数は月曜日に2.7%下落し、3週間ぶりの安値を記録しました。Micron、SanDisk、SK Hynix ADRなどメモリーチップ関連の銘柄が主要な下落を導き、中国メーカーが高利益率のAIサーバーメモリー市場に加速して参入することへの懸念が顕著に高まりました。

この動きについてAIアナリストのMelvin氏は、このメモリー銘柄の売りが全く理解できず、市場の反応は過度だとし、今回の売りは合理的でないと述べました。

その後、マスク氏はSNS「X」で以下のように投稿しました。中国がある製品の製造方法を習得した場合、そのスケールメリットは現時点で世界中の他の地域の合計を上回ることが多く、リチウム電池と太陽光発電が好例だと証明した。また、メモリーチップ分野における中国の追い上げスピードについても明確な懸念を示し、LP5やLP6など汎用スタンダード規格について「中国が急速に攻略しているようだ」と言及しました。

マスク氏：中国のスケールメリットはシステム上の優位性

マスク氏は中国の製造規模の大きさを、個別事例ではなくシステム上の優位性と位置付けました。彼は、「中国がある製品の製造方法を理解した時、そのスケールメリットは世界中の他地域の合計を上回ることが多い。我々はリチウム電池や太陽光発電の分野で既にそれを目撃している」と書いています。

SpaceXを比較対象に挙げ、「SpaceXは数少ない例外の一つであり、打ち上げ質量は世界中の他のロケットの合計よりも一桁多い」としつつも、「それでも中国は現在、SpaceX以外の打ち上げ質量の大部分を担っている。SpaceXはマトリクスの例外値だ」と追記しました。

メモリーチップ分野については、より直接的な見解を示しました。彼は「RAMは3年前まで利益率の低いコモディティであり、LP5やLP6は汎用スタンダード設計で『中国が急速に解決しているようだ』」と述べました。さらに、次世代のHBMアーキテクチャ―やロジック層下のSRAM、ロジック層上における3DスタックRAMと放熱ソリューションについては、さらに難度の高い技術的課題だとも指摘しています。

長鑫存储の技術ブレイクスルーが市場の売りを誘発

マスク氏の発言は、空中楼閣ではありません。ちょうどその直前の週末に、長鑫存储の総裁である曹堪宇博士が業界イベントで、同社が次世代4F²メモリセルアーキテクチャにおいて重要な進展を遂げ、2026年末までに同アーキテクチャを採用したDDR5サーバーメモリー製品をリリースする計画があることを発表しました。

4F²アーキテクチャの主な強みは、メモリーセルの面積縮小です。従来型DRAMで一般的な6F²構造に対し、Fはプロセス最小線幅を示しますが、4F²デザインでは同一面積に約1/3多くビットを格納でき、単位コストが下がり、AIサーバー向けの大容量メモリーモジュールにより適しています。曹堪宇氏は、この設計では独自の垂直ゲートトランジスタでリークを抑制し、高利益率のAIサーバー向けDRAM市場を直接狙うと述べました。

このニュースを受け、中国メーカーによる高付加価値メモリーチップ市場への浸透が加速することへの懸念が一気に高まり、月曜日のチップ関連株の大幅安の直接的な引き金となりました。テック株が月曜日の米株市場で最もパフォーマンスが悪かったセクターとなり、特にメモリーチップ関連銘柄が大きく下落。Micronは1000ドルの節目を割り、最終的に約4%下落。SanDiskは約6%下落、SK Hynix ADRとSuper Micro Computerはいずれも4%以上下落。Seagate Technologyは3%以上下落し、Quantumは9%以上、Corningも大きく下落しました。

市場の売却論理は明白です。中国メーカーがこれまで米韓企業が支配してきた高付加価値メモリーチップ市場に、より低コストかつ大規模に参入できれば、関連企業の利益率は大きく圧迫されることとなります。マスク氏の公開発言は、この競争構造の変化に対する投資家の見方を一層強める一因となりました。